SJ 20844-2002 半绝缘砷化镓单晶微区均匀性测试方法
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ID： |
C639A3DCAFB546E196F49500711579BD |
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文件大小(MB)： |
0.33 |
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页数： |
12 |
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日期： |
2009-6-11 |
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用酬,昌,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5971 5J 20844- 2002,半绝缘砷化稼单晶微区均匀II测 试方法,Test method for mierozone homogeneity of semi-insulating,mo no cry st al g a lliu m ar sen id e,2003-03-01实施,中华人民共和国信息产业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半绝缘砷化稼单晶微区均匀性测试方法,SJ 2084车to2002,Test method for microzone homogeneityo fse mi-insulating,monocrystal酗Hum arsenide,范围,.I 主题内容,本标 准规定了半绝缘砷化镍晶片电电隧架人),.2 适用范围,本 标 准适用于半绝缘不申化稼茹片中龟阻率、,碳浓赓、卫成浓鹰和PL谱微区均匀性测量方法.,碳浓度、EL2形度和PL谱微区均匀性的测定,2 引用文件,GJ B1 92 7--94 砷化稼单晶材料侧试方法,GB IT 1 7 170-1997 AV掺杂半维缪R军E 单品深能级EL2浓度红外取收}?航V,S3 2 06 35 --091 塔绝缘钾化眯不弓杀杂质浓度撒区试验方法,3 定义,3.1 EL2浓度E,Uxocentruion,EL2 是 砷 化嫁中，独本征缺陷，EL2浓度是这种缺陷在砷化嫁体内浓玫霎,3.2 碳受主浓度}}gbdna cftptft,co ncentraticd,碳是 砷 化 惊中_40AM 的tiA性中'A1U}, "I,.a A砷化巍'rif至耍}A舌据砷位的爱主形式存在，所引起的,能级位置在价带之止仪傀双户处涪,3.3光致发光谱沪L谱r}'phi luminescence spectrum,当激 发 光 照射到被iJ样 儡表面时、_材料出现本征吸收，而且产生一成量TINE子一空穴对，它们通过不,同的复合机理进行复合，Nlz`)}发,qO发射*A逸出表面前会受到样品本势M 吸收，逸出表面的发射,光经会聚进入单色仪分光，然浩OW . 收并赦丸碍MM强度r*T 能量分布的曲线，即光致发,光谱.,4 一般要求,4.1测量的标准大气条件,a. 环 境 温度:18℃一25oC ;,h. 相 对 湿度:簇70%.,4.2 0123Tx境条件,测量 实 验 室不允许有机械冲击和振动，也不允许存在电磁千扰，洁净、无腐蚀性气体，以确保测量,精度,一一一— 一一.-,中华人民共和国信息产业部2002-1D-30发布2003-03-01实施,1,sJ 2 08 44 - -2 00 2,一一一— 一~~一一一一~~一一一一~~~一一-~一~一----,5 详细要求,本标 准 采 用独立编号方法，将四种测试方法列为:,a， 方 法 101 半绝缘砷化惊晶片中电阻率微区均匀性测试方法;,b. 方 法 102 半绝缘砷化稼晶片中碳浓度微区均匀性测试方法;,c. 方 法 103 半绝缘砷化稼晶片中EL2浓度微区均匀性测试方法:,d. 方 法 104 半绝缘砷化稼晶片中PL谱微区均匀性测试方法,5J 20844--2002,方 法 10 1,半绝缘砷化稼晶片中电阻率微区均匀性测试方法,1 方法提要,如图 1 01- 1所示，半绝缘砷化稼单晶微区电阻率二维分布测量采用三电极保护法测量结构，在晶片,上制作284 u m(或140Nm)的测量结构阵列，在一定的测量间隔下，通过分别测量各测量结构所在区,域的电阻率得到材料在该分辨率下的微区电阻率分布。由于半绝缘材料电阻率与温度有关，在不能保证,恒温测量的条件下，须作温度的归一修正,图邓下孚j兰电极保护法测量结构示意图,2 测量仪器,2.1 制样设备，可3'x50+mn议上晶片进行微电子瓣I.--,2.2 测量系统‘系统具有自劝化测量笼数据存储租数据处理的功能,2.2. 1样品微动合毛:、杆积不小千沁0m m，分辨本优子5b,'P' "翻 精度优于$F in , 重复性优驴0.51m o,2.2.2电流计，濒红量范鼠1俨入和里p抓、。稍精瘴一优一更在5守、,2.2.3 电压源，伽}}3L1.可谊笋纹波.I} 环、,2.2.4 温度计，X幢范围10℃ ^4 0",, 精度优℃,2.2.5 千分尺，精度优于4介1 nom o,3 试样制备,3.1 测量样品为双面或单面抛光晶片麟厚度不大-t0j lnm 厚度不均匀性小于0.5%。为了节省时间可,取114圆片作为测量样品;当对多个释品测量结集班行优较时广取样崔置应该一致,3,2 根据图101-1所示电极尺寸，制作版图,3.3 采用金一锗一镍合金在晶片两面制备欧姆接触电极，然后再蒸金,3.4用掩膜蒸发或先蒸发后光刻的方法，在晶片表面制备测量结构阵列，阵列方向应尽量与参考面平,行;测量结构应完整，上表面边缘处留约t mm的空隙，下表面的电极应覆盖整个品片,3.5 蒸发了电极的晶片在真空或氮气保护下合金形成良好的接触电极,4 测量程序,4.1 测量环境温度应保持在239C t 20C ，相对湿度小于70%0,4.2 用千分尺测量样品厚度,4.3将样品置于样品微动台上，调整样品位置使其测量结构阵列的排列方向与探针的运动方向一致,固定好样品，然后用丙酮、无水已醇擦洗上表面，使表面清洁无污染，凉干备用,SJ 20844---2002,4.4设定电压源电压为20 v左右，电流测量范围为纳安级，选择样品中的几个点进行测试，注意观察,样品电流的大小和测量的弛豫时间,4.5将探针对准样品上相对坐标原点，根据测试情……
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